商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:17000 件
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IPA50R280CE 500V CoolMOS CE 功率晶體管是一個高壓功率 MOSFET 技術(shù)平臺,它根據(jù)超級結(jié)原理(SJ)進(jìn)行設(shè)計(jì),滿足客戶要求。全新系列的 CoolMOS? 成本經(jīng)優(yōu)化可滿足消費(fèi)者的典型要求,不犧牲 CoolMOS? 的高品質(zhì)和可靠性,同時(shí)價(jià)格仍有足夠吸引力。
IPA50R280CE的規(guī)格:
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 32.6 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
商標(biāo)名: CoolMOS
系列: CoolMOS CE
配置: Single
高度: 16.15 mm
長度: 10.65 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.85 mm
單位重量: 2 g
潛在應(yīng)用
消費(fèi)者
照明
PC 銀盒
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號:SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢:86-755-83294757
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