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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IPDD60R050G7

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-HDSOP-10

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:4400

數(shù)量:
在線詢價

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聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPDD60R050G7
封裝
PG-HDSOP-10
描述
N 通道 600 V 47A(Tc) 278W(Tc) PG-HDSOP-10-1

產(chǎn)品描述

IPDD60R050G7是英飛凌現(xiàn)創(chuàng)新推出雙 DPAK (D-DPAK),這是首款頂部冷卻 SMD 封裝,主要面向大功率 SMPS 應(yīng)用,如 PC 電源、太陽能、服務(wù)器和電信設(shè)備等應(yīng)用。


特性

提供一流的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg

創(chuàng)新的頂部散熱理念;

內(nèi)置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感;

超過 2000 周期的 TCOB 能力,符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛等


IPDD60R050G7產(chǎn)品屬性:

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HDSOP-10

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 47 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 68 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 3 ns

上升時間: 6 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns

典型接通延遲時間: 22 ns

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PG-WHTFN-9

1680

N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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