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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IRFH7084TRPBF

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PQFN-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:25000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IRFH7084TRPBF
封裝
PQFN-8
描述
采用 PQFN 5x6 封裝的 40V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品描述

IRFH7084TRPBF為StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(導(dǎo)通)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。


功能概述

行業(yè)標準表面貼裝電源封裝

產(chǎn)品認證符合 JEDEC 標準

針對開關(guān)頻率低于 100 kHz 的應(yīng)用進行了硅優(yōu)化

與上一代硅相比,體二極管更軟

提供廣泛的產(chǎn)品組合


優(yōu)勢

改進了柵極、雪崩和動態(tài) dV/dt 強度

全面鑒定電容和雪崩 SOA

增強的體二極管 dV/dt 和 dI/dt 能力

無鉛,符合 RoHS 規(guī)范


IRFH7084TRPBF器件屬性:

FET 類型: N 通道  

技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss): 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :100A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 1.25 毫歐 @ 100A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 150μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 6560 pF @ 25 V  

功率耗散(最大值): 156W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型:表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: 8-PQFN(5x6)  

封裝/外殼:8-PowerTDFN 

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

BSC010N04LST

INFINEON

TDSON-8

26800

OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴大了溫度范圍以提高堅固性

IRFH5215TRPBF

INFINEON

PQFN-8

5000

采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

STW35N60DM2

ST

TO-247-3

5000

N溝道600 V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2功率MOSFET

IPP051N15N5

INFINEON

TO-220-3

20000

OptiMOS?5 功率晶體管,150V

IPB042N10N3G

INFINEON

D2PAK

6000

采用 D2PAK 封裝的 100V OptiMOS? 3 功率 MOSFET

IPDD60R050G7

INFINEON

PG-HDSOP-10

4400

N 通道 600 V 47A(Tc) 278W(Tc) PG-HDSOP-10-1

BSC026N08NS5

INFINEON

TDSON-8

20000

用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V

NVMFWS1D5N08XT1G

ON

DFNW-5

3000

80V,253 A,1.5 mΩ 單N溝道功率 MOSFET

IPT026N12NM6

INFINEON

PG-HSOF-8

1680

OptiMOS? 6 功率 MOSFET 正常電平 120 V,采用 TOLL 封裝

IQD020N10NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02

常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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