STW35N60DM2 高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復(fù)電荷 (Qrr) 和時間 (trr) 以及低 RDS(on),使其適用于最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器,是橋式拓?fù)浜?ZVS 相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
STW35N60DM2 的規(guī)格
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:28 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:54 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散:210 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:MDmesh
封裝:Tube
商標(biāo):STMicroelectronics
配置:Single
下降時間:10.7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFETs
上升時間:17 ns
系列:STW35N60DM2
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
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