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規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明：80V，253 A，1.5 mΩ 單N溝道功率 MOSFET
封裝：DFNW-5
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 6 功率 MOSFET 正常電平 120 V，采用 TOLL 封裝
封裝：PG-HSOF-8
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS（on）
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說(shuō)明：600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封裝：PG-HDSOP-22
產(chǎn)品說(shuō)明：600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封裝：PG-HDSOP-22
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS功率MOSFET 150 V
封裝：PG-WHSON-8電話咨詢：86-755-83294757
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