商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:D2PAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:6000 件
IPB042N10N3G 是一款 100V OptiMOS? 功率 MOSFET,可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術(shù)相比,該系列在 R Ds(on)和 FOM(品質(zhì)因數(shù))方面均降低了30%。
產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品:IPB042N10N3G
技術(shù) :Si
安裝風(fēng)格 :SMD/SMT
封裝 / 箱體 :D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性 :N-Channel
通道數(shù)量 :1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓 :100 V
Id-連續(xù)漏極電流 :100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 :4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓 :- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓 :2 V
Qg-柵極電荷 :88 nC
工作溫度 :- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散 :214 W
通道模式 :Enhancement
配置 :Single
下降時(shí)間 :14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值 :73 S
高度 :4.4 mm
長度 :10 mm
產(chǎn)品類型 :MOSFETs
上升時(shí)間 :59 ns
系列 :OptiMOS 3
晶體管類型 :1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 :48 ns
典型接通延遲時(shí)間 :27 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號:SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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