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NVMFWS2D3P04M8LT1G 功率 MOSFET-40 V、2.2 mΩ、-222 A、單 P 溝道。

器件規(guī)格

FET 類型 ：P 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：31A（Ta），222A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.2 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） ：2.4V @ 2.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 157 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 5985 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），205W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

等級： 汽車級

資質(zhì)： AEC-Q101

安裝類型： 表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。