商品名稱:IPM 模塊
品牌:ON
年份:24+
封裝:SPMMC-27
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM? 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過(guò)電流關(guān)斷和故障報(bào)告。
內(nèi)置的高速 HVIC 僅需一個(gè)電源電壓,會(huì)將傳入的邏輯電平門極輸入轉(zhuǎn)換為正確驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部 IGBT 所需的高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。對(duì)于每個(gè)相位提供單獨(dú)的負(fù) IGBT 端子,可支持最廣泛的控制算法。
特性:
1200 V - 10 A 三相 IGBT 逆變器,帶積分柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能
低功耗、額定短路 IGBT
使用 Al2O3陶瓷基質(zhì)實(shí)現(xiàn)極低熱阻
專用 Vs 引腳能夠簡(jiǎn)化 PCB 布局
低側(cè) IGBT 的獨(dú)立發(fā)射極開(kāi)路引腳用于三相電流檢測(cè)
單相接地電源
絕緣等級(jí): 2500 Vrms/分
應(yīng)用:
運(yùn)動(dòng)控制-家用設(shè)備/工業(yè)電機(jī)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽(yáng)能…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬(wàn)像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn),能夠重用電路板設(shè)計(jì),進(jìn)入市場(chǎng)快,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對(duì)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對(duì)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…NVBG032N065M3S
NVBG032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET采用全新的技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。產(chǎn)品…電話咨詢:86-755-83294757
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