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Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

來源:本站時間:2025-01-18瀏覽數(shù):

產(chǎn)品說明IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封裝,屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(on)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應用…

產(chǎn)品說明

IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封裝,屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(on)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應用,包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。


產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):5A(Ta),27A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):58 毫歐 @ 16A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):32 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1350 pF @ 50 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.6W(Ta),104W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PQFN(5x6)

封裝/外殼:8-VQFN 祼焊盤

基本產(chǎn)品編號:IRFH5215


應用領(lǐng)域

IRFH5215TRPBF器件適用于多種應用場景,包括但不限于:

直流電機?:由于其低導通電阻和高電流能力,適用于高效率的直流電機驅(qū)動。

電池管理系統(tǒng)?:用于電池充放電控制,提供穩(wěn)定的電流輸出。

逆變器?:在逆變器中提供高效率的開關(guān)功能。

DC-DC轉(zhuǎn)換器?:在電源管理系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。

IRFH5215TRPBF.jpg

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