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最新資訊器件說(shuō)明：TDA21472是一款高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器電壓調(diào)節(jié)器，集成了驅(qū)動(dòng)器、肖特基二極管和高側(cè)及低側(cè)MOSFET。它支持4.25 V至16 V的輸入電壓范圍，輸出電壓范圍從0.25 V到5.5 V，最大輸出電流為70 A，開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)1.5MHz。該器件還具有多種保護(hù)功能，包括逐周期過(guò)流保護(hù)、V…
器件說(shuō)明：
TDA21472是一款高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器電壓調(diào)節(jié)器，集成了驅(qū)動(dòng)器、肖特基二極管和高側(cè)及低側(cè)MOSFET。它支持4.25 V至16 V的輸入電壓范圍，輸出電壓范圍從0.25 V到5.5 V，最大輸出電流為70 A，開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)1.5MHz。該器件還具有多種保護(hù)功能，包括逐周期過(guò)流保護(hù)、VCC/VDRV欠壓鎖定保護(hù)和MOSFET相位故障檢測(cè)。
與同類(lèi)最佳的基于控制器的電感器 DCR 檢測(cè)方法相比，具有溫度補(bǔ)償功能的 TDA21472 內(nèi)部 MOSFET 電流檢測(cè)算法可實(shí)現(xiàn)卓越的電流檢測(cè)精度。保護(hù)功能包括具有可編程閾值的逐周期過(guò)流保護(hù)、VCC/VDRV UVLO保護(hù)、相位故障檢測(cè)、IC溫度報(bào)告和熱關(guān)斷功能。TDA21472 還具有自舉電容器的自動(dòng)補(bǔ)充功能，以防止過(guò)度放電。TDA21472 具有深度睡眠省電模式，當(dāng)多相系統(tǒng)進(jìn)入 PS3/PS4 模式時(shí)，可大大降低功耗。
在高達(dá) 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率下工作可實(shí)現(xiàn)高性能瞬態(tài)響應(yīng)，從而減少輸出電感和輸出電容，同時(shí)保持行業(yè)領(lǐng)先的效率。
TDA21472 針對(duì)服務(wù)器應(yīng)用中的 CPU 內(nèi)核供電進(jìn)行了優(yōu)化。滿(mǎn)足服務(wù)器市場(chǎng)嚴(yán)格要求的能力也使其非常適合為 GPU 和 DDR 內(nèi)存設(shè)計(jì)提供動(dòng)力。
特性
? 共封裝驅(qū)動(dòng)器、肖特基二極管以及高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET
? 具有溫度補(bǔ)償報(bào)告的 5mV/A 片上 MOSFET 電流感應(yīng)
? 輸入電壓 （VIN） 范圍為 4.25 V 至 16 V
? 4.25 V 至 5.5 V 的 VCC 和 VDRV 電源
? 輸出電壓范圍為 0.25 V 至 5.5 V
? 80A 輸出過(guò)流保護(hù) （OCP） 功能
? 工作頻率高達(dá) 1.5 MHz
? VCC/VDRV 欠壓鎖定 （UVLO）
? 8 mV/°C 溫度模擬輸出
? 熱關(guān)斷和故障標(biāo)志
? 具有可編程閾值和故障標(biāo)志的逐周期過(guò)流保護(hù)
? MOSFET 相位故障檢測(cè)和標(biāo)志
? 自舉電容器的自動(dòng)補(bǔ)充
? 深度睡眠模式，省電
? 兼容 3.3V 三態(tài) PWM 輸入
? 車(chē)身制動(dòng)負(fù)載瞬態(tài)支持
? 小型 5 mm x 6 mm x 1 mm PQFN 封裝
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
48V 配電
邊緣計(jì)算
車(chē)身電子和照明
電信基礎(chǔ)設(shè)施
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