深圳市明佳達電子有限公司分銷英飛凌【MOSFET晶體管】BSC010N04LST OptiMOS? 5 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封裝。BSC010N04LST 器件描述：BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封裝。該芯片具有高耐壓、大電流和低導通電阻的特點，適用…
深圳市明佳達電子有限公司分銷英飛凌【MOSFET晶體管】BSC010N04LST OptiMOS? 5 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封裝。
BSC010N04LST 器件描述：
BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封裝。該芯片具有高耐壓、大電流和低導通電阻的特點，適用于各種高功率密度的應用場景。
BSC010N04LST 主要特性：
漏源電壓 (Vdss)：40V
連續(xù)漏極電流 (Id)：100A
導通電阻 (RDS(on))：1mΩ @ 10V, 50A
耗散功率 (Pd)：167W
閾值電壓 (Vgs(th))：1.2V @ 250uA
柵極電荷量 (Qg)：95nC
輸入電容 (Ciss@Vds)：9.52nF @ 20V
反向傳輸電容 (Crss)：320pF @ 20V
工作溫度：-55℃ ~ +175℃
封裝：TDSON-8-EP(5.1x5.9)
BSC010N04LST MOSFET晶體管適用于以下領域：
電源管理
電機驅動
逆變器
電池管理系統(tǒng)
工業(yè)自動化
汽車電子
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