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介紹IKW75N65ES5 采用 TO247 封裝的 650V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

介紹IKW75N65ES5 采用 TO247 封裝的 650V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

來源:本站時(shí)間:2025-01-10瀏覽數(shù):

介紹IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT,適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。特征描述在 25C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP…

介紹

IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT,適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。


特征描述

在 25°C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP? 5 H5 低 20%

Ic 脈沖電流的 4 倍 (100°C Tc)

軟電流下降特性,無尾電流

對稱的,電壓過沖

柵極電壓受到控制(無振動)。沒有不必要的設(shè)備導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),也不需要柵極箝位。

最高結(jié)溫 Tvj = 175°C

質(zhì)量符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)


優(yōu)勢

不需要 VCEpeak 箝位電路

不需要柵極箝位元件

出色的 EMI 行為

非常適合并聯(lián)


規(guī)格

型號:IKW75N65ES5

IGBT 類型:溝道

電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm):300 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,75A

功率 - 最大值:395 W

開關(guān)能量:2.4mJ(導(dǎo)通),950μJ(關(guān)斷)

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷:164 nC

25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:40ns/144ns

測試條件:400V,75A,18 歐姆,15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):85 ns

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3


應(yīng)用領(lǐng)域

48V 配電

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電動汽車快速充電

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