介紹IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT,適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。特征描述在 25C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP…
介紹
IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT,適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。
特征描述
在 25°C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP? 5 H5 低 20%
Ic 脈沖電流的 4 倍 (100°C Tc)
軟電流下降特性,無尾電流
對稱的,電壓過沖
柵極電壓受到控制(無振動)。沒有不必要的設(shè)備導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),也不需要柵極箝位。
最高結(jié)溫 Tvj = 175°C
質(zhì)量符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)勢
不需要 VCEpeak 箝位電路
不需要柵極箝位元件
出色的 EMI 行為
非常適合并聯(lián)
規(guī)格
型號:IKW75N65ES5
IGBT 類型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,75A
功率 - 最大值:395 W
開關(guān)能量:2.4mJ(導(dǎo)通),950μJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:164 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:40ns/144ns
測試條件:400V,75A,18 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):85 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
應(yīng)用領(lǐng)域
48V 配電
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