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供應(yīng) IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 晶體管

供應(yīng) IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 晶體管

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深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 晶體管IXTP160N10T 的產(chǎn)品說(shuō)明IXTP160N10T 是 N 溝道增強(qiáng)型 100V 160A 功率 MOSFET 晶體管。IXTP160N10T 的規(guī)格漏極至源極電壓 (Vdss):100 V電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25C:160A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓…

深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) IXYS IXTP160N10T 100V 160A N 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 晶體管


IXTP160N10T 的產(chǎn)品說(shuō)明

IXTP160N10T 是 N 溝道增強(qiáng)型 100V 160A 功率 MOSFET 晶體管。


IXTP160N10T 的規(guī)格

漏極至源極電壓 (Vdss):100 V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:160A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通):10 V

Rds On(最大)@ Id,Vgs:7mOhm @ 25A,10V

Vgs(th) (Max) @ Id:4.5V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:132 nC @ 10 V

Vgs(最大):± 30 V

輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:6600 pF @ 25 V

功率耗散(最大):430 W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)


IXTP160N10T 的特點(diǎn)

超低導(dǎo)通電阻

雪崩額定值

低封裝電感

易于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)

175°C 工作溫度

快速本征二極管


IXTP160N10T 的優(yōu)勢(shì)

易于安裝

節(jié)省空間

功率密度高


IXTP160N10T 的應(yīng)用

汽車

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

42V 電源總線

ABS 系統(tǒng)

DC/DC 轉(zhuǎn)換器和離線 UPS

用于 24V 和 48V 系統(tǒng)的主開關(guān)

分布式電源架構(gòu)和 VRM

電子氣門機(jī)構(gòu)系統(tǒng)

大電流開關(guān)應(yīng)用

高壓同步恢復(fù)器


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