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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專(zhuān)營(yíng)高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門(mén)、偏門(mén)、缺貨的各類(lèi)電子元器件。我們…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET
深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專(zhuān)營(yíng)高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門(mén)、偏門(mén)、缺貨的各類(lèi)電子元器件。我們與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關(guān)系，確保所供應(yīng)的元器件均來(lái)自正規(guī)渠道，品質(zhì)可靠。
砷化鎵 pHEMT
Qorvo 采用最先進(jìn)的超低噪聲 0.15 μm pHEMT 和 0.25 μm E-pHEMT 工藝，提供各種分立晶體管元件。這些分立器件允許客戶(hù)在設(shè)計(jì)低噪聲放大器 (LNA) 電路時(shí)進(jìn)行全面控制。各種分立 FET 的 NF（最小值）低至 0.15 dB，頻率高達(dá) 22 GHz。還提供配對(duì)晶體管，是平衡 LNA 設(shè)計(jì)的理想之選。
GaN HEMT
Qorvo 提供廣泛的氮化鎵（GaN）分立晶體管產(chǎn)品組合，具有不同的額定功率、電壓和頻率水平，既有裸片級(jí)解決方案，也有封裝解決方案。我們的產(chǎn)品不僅具有氮化鎵的高性能，而且采用了方便的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，從而加快了設(shè)計(jì)和制造速度，所有這些都有我們業(yè)界領(lǐng)先的可靠性作為后盾。
SiC FET
Qorvo 的高性能碳化硅 (SiC) FET 具有同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)速度、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更高的效率、標(biāo)準(zhǔn)通孔（包括開(kāi)爾文封裝）和表面貼裝封裝，而且成本效益極佳。這些 FET 基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 與級(jí)聯(lián)優(yōu)化的 Si-MOSFET 共同封裝，實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件的運(yùn)行。這些器件大多通過(guò)了 AEC-Q101 認(rèn)證。
SiC JFET
這些 SiC JFET 具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，起始值僅為 4 mΩ，而低柵極電荷 (QG) 則進(jìn)一步降低了傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。
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