最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和收購(gòu)羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受時(shí)間并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的第4代產(chǎn)品。與以往產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻降低了約40%，…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和收購(gòu)羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7L
ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受時(shí)間并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的第4代產(chǎn)品。與以往產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻降低了約40%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約50%。另外，該產(chǎn)品還支持更容易處理的15V柵-源電壓，使應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更容易。
產(chǎn)品描述：
SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。該產(chǎn)品采用溝槽結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻，是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快
快速的反向恢復(fù)
易于并聯(lián) 易于驅(qū)動(dòng)
無(wú)鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品屬性：
FET 類(lèi)型： N 通道
技術(shù)： SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）： 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：24A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 81 毫歐 @ 12A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 6.45mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 64 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +21V，-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1498 pF @ 800 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 93W
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： TO-263-7L
封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
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