商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。該芯片集成了一個(gè) 600V、15A 的 IGBT 和一個(gè)反向并聯(lián)的快速恢復(fù)發(fā)射極控制二極管,采用 TO-220 Full-Pak 封裝。
參數(shù)
集電極-發(fā)射極電壓:600V
直流集電極電流:15A(TC = 25°C),10.6A(TC = 100°C)
脈沖集電極電流:45A
二極管正向電流:17.2A(TC = 25°C),10.8A(TC = 100°C)
二極管脈沖電流:45A
柵極-發(fā)射極電壓:±20V
短路耐受時(shí)間:5μs(VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C)
最大功耗:35.7W(TC = 25°C)
工作結(jié)溫:-40°C 至 +175°C
存儲(chǔ)溫度:-55°C 至 +150°C
隔離電壓:2500Vrms
特點(diǎn)
非常低的 VCEsat:1.5V(典型值)
低開關(guān)損耗
易于并聯(lián)開關(guān):由于 VCEsat 的正溫度系數(shù)
非常軟、快速恢復(fù)的反向并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
高魯棒性,溫度穩(wěn)定的行為
低電磁干擾(EMI)
低柵極電荷
參數(shù)分布非常緊密
應(yīng)用
空調(diào)
逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號(hào):SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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