商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:50000 件
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開(kāi)關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。
IKW75N65EH5 器件屬性
制造商: Infineon Technologies
系列: TrenchStop?
包裝: 管件
零件狀態(tài): 在售
IGBT 類型: 溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 90 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) :300 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) :2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值: 395 W
開(kāi)關(guān)能量:2.3mJ(導(dǎo)通),900μJ(關(guān)斷)
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 160 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值: 28ns/174ns
測(cè)試條件: 400V,75A,8 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr): 92 ns
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-3
應(yīng)用
不間斷電源
太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器
焊接轉(zhuǎn)換器
中高頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
TO-247-3
1000
670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
INFINEON
TO-247-3
1000
670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
INFINEON
TO-247-3
1000
670 V、50 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
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SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號(hào):SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺(tái)具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電電話咨詢:86-755-83294757
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