商品名稱(chēng):IXYA20N120A4HV
數(shù)據(jù)手冊(cè):IXYA20N120A4HV.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXYA20N120A4HV 溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專(zhuān)有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。該晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開(kāi)關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。此器件在開(kāi)關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。典型應(yīng)用包括電池充電器、燈具鎮(zhèn)流器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、功率逆變器、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源 (UPS) 和電焊機(jī)。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類(lèi)型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):135 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,20A
功率 - 最大值:375 W
開(kāi)關(guān)能量:3.6mJ(開(kāi)),2.75mJ(關(guān))
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:46 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:12ns/275ns
測(cè)試條件:800mV,20A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):54 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:TO-263HV
基本產(chǎn)品編號(hào):IXYA20
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類(lèi)型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開(kāi)關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類(lèi)型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專(zhuān)有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對(duì)高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類(lèi)應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開(kāi)關(guān)頻率和40 kHz的硬開(kāi)關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級(jí)功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開(kāi)關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計(jì)- 雪崩額定值- 高性能動(dòng)態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動(dòng)態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動(dòng)態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
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