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IXBH20N360HV 超高壓3600V反向導通 (BiMOSFET?) IGBT將MOSFET和IGBT的優(yōu)勢相結合。該高壓器件的飽和電壓和內置二極管的正向電壓降均具有正電壓溫度系數(shù)，因此非常適合用于并聯(lián)運行?！白杂伞眱戎皿w二極管用作保護二極管，為器件關斷期間的感性負載電流提供替代路徑，防止高Ldi/dt電壓瞬變對器件造成損壞。

產品規(guī)格：

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：220 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A

功率 - 最大值：430 W

開關能量：15.5mJ（開），4.3mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：110 nC

25°C 時 Td（開/關）值：18ns/238ns

測試條件：1500V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：1.7 μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3 變式

供應商器件封裝：TO-247HV

基本產品編號：IXBH20

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