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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:H5WRAGESM8W-N6L

商品名稱:AI 存儲器

品牌:SK hynix

年份:24+

封裝:8Hi

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
SK hynix
型號
H5WRAGESM8W-N6L
封裝
8Hi
描述
散熱性能更強、速度最快的DRAM,16Gb 3.2Gbps HBM2E

產(chǎn)品描述

H5WRAGESM8W-N6L

類型:DRAM

密度:16Gb

KGSD密度:128Gb

速度:3.2Gbps

封裝:8Hi

組織:x1024

電壓:1.2V


特點

? 使用硅通孔(TSV)的垂直堆疊DRAM芯片提供460GB/s帶寬的高帶寬內(nèi)存

? 針對深度學習加速器和人工智能系統(tǒng)優(yōu)化的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案


概述:

SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是業(yè)界最快的內(nèi)存,I/O 速度達到 3.6Gbps,每秒可使用 1,024 個 I/O 處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與之前的 HBM2 相比,新型 HBM2E 的散熱性能提高了 36%,是一款真正高效的內(nèi)存,可為您的系統(tǒng)提供強勁的性能。


散熱改進

SK hynix的 HBM2E 比 HBM2 的散熱性能提高了 36%,在相同的工作條件下,平均散熱溫度降低了 14 攝氏度。


高達 9 倍的帶寬,2 倍于一代的容量提升

與 DDR5 的 2.4GB/s 帶寬和 GDDR6 的 64GB/s 帶寬相比,HBM2E 的性能最多可提高 9 倍,每秒可處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比,HBM2E 通過組合 8 個 16GB DRAM 芯片實現(xiàn)了 16GB 解決方案,密度比上一代 HBM2 提高了一倍。


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描述

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H5WR64ESM4W-N6L

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H5WR64ESM4W-N8L

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散熱性能更強、速度最快的DRAM,16Gb 3.6Gbps HBM2E

H5WRAGESM8W-N8L

SK hynix

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1000

散熱性能更強、速度最快的DRAM,16Gb 3.6Gbps HBM2E

H5UG7HMD83X020R

SK hynix

8Hi

1000

用于AI的高帶寬內(nèi)存,16GB 5.6Gbps HBM3 DRAM, DDR5

H5UG7HME03X020R

SK hynix

8Hi

1000

用于AI的高帶寬內(nèi)存,16GB 6.0Gbps HBM3 DRAM, DDR5

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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SK hynix

SK hynix

SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社,2012年被SK集團收購以后正式更名為SK海力士株式會社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲器為主的半導體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導體制造商,當前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設(shè)有四個生產(chǎn)基地,并在全…

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