商品名稱:AI 存儲(chǔ)器
品牌:SK hynix
年份:24+
封裝:8Hi
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
H5UG7HME03X020R
類型:DRAM, DDR5
密度:16Gb
KGSD密度:128Gb
速度:6.0Gbps
組織:x1024
電壓:1.1V
封裝:8Hi
介紹:
SK hynix 通過開發(fā) HBM3 鞏固了其在高速 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,HBM3 是用于數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和人工智能等尖端技術(shù)的最新高帶寬內(nèi)存。
先進(jìn)的散熱技術(shù)
在相同的工作電壓下,HBM3 的運(yùn)行溫度比 HBM2E 低,從而提高了服務(wù)器系統(tǒng)環(huán)境的穩(wěn)定性。在同等工作溫度下,SK hynix HBM3 可以支持 12 層堆棧,容量是 HBM2E 的 1.5 倍,I/O 速度為 6Gbps,帶寬是 HBM2E 的 1.8 倍。因此,在相同的工作條件下,SK hynix 擁有更大的冷卻能力,實(shí)現(xiàn)了其 Memory ForEST* 計(jì)劃。
性能提升
SK hynix HBM3 在相同封裝高度下堆疊 12 個(gè) DRAM 芯片,容量是 HBM2E 的 1.5 倍,適用于人工智能和高性能計(jì)算等容量密集型應(yīng)用。單個(gè)立方體可產(chǎn)生高達(dá) 819GB/s 的帶寬,而在同一硅片上使用六個(gè) HBM 芯片的 SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)可達(dá)到高達(dá) 4.8TB/s 的帶寬,以支持超大規(guī)模需求。
片上 ECC
SK hynix HBM3 還具有強(qiáng)大的定制設(shè)計(jì)的片上 ECC(糾錯(cuò)碼),它使用預(yù)先分配的奇偶校驗(yàn)位來檢查和糾正接收到的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。嵌入式電路允許 DRAM 在單元內(nèi)自我糾錯(cuò),大大提高了器件的可靠性。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社,2012年被SK集團(tuán)收購以后正式更名為SK海力士株式會(huì)社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,當(dāng)前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地,并在全…
HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA107N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA107N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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