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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NTC040N120SC1

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封裝:模具

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTC040N120SC1
封裝
模具
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

產(chǎn)品描述

NTC040N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET與硅器件相比,具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。 這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。


NTC040N120SC1的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:10.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

Pd-功率耗散:348 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:106 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:56 mOhms

上升時間:41 ns

系列:NTC040N120SC1

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

商標名:EliteSiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:33 ns

典型接通延遲時間:18 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V


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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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