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商品名稱(chēng):晶體管
品牌:ON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NVH4L110N65S3F - 采用TO-247-4L 封裝的 650V、110mohm SUPERFET III MOSFET 晶體管
型號(hào):NVH4L110N65S3F
封裝:TO-247-4
類(lèi)型:MOSFET 晶體管
描述:MOSFET - 單 N 溝道,SUPERFET III,F(xiàn)RFET 650V,30A,110mohm
產(chǎn)品概覽
NVH4L110N65S3F - SUPERFET III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超級(jí)結(jié)(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)小型化和高效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品特點(diǎn)
- 同類(lèi)最佳的體二極管
- 內(nèi)部 Rg
- 更低的 RDS(ON) / 相同的封裝
- 內(nèi)部齊納 / 650 V BVdss
- 超低柵極電荷和低有效輸出電容
- 更低的 FOM(RDS(ON)最大值 x Qg typ.
- 通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證并可進(jìn)行 PPAP 生產(chǎn)
- 這些器件無(wú)鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
OBC
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCP45770IMN24TWG
NCP45770IMN24TWG負(fù)載管理器件提供了一個(gè)精簡(jiǎn)組件和面積的解決方案,可通過(guò)軟啟動(dòng)的涌入電流限值實(shí)現(xiàn)高效的功率域切換。NVH4L032N065M3S
NVH4L032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET 采用全新的技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。特…NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽(yáng)能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過(guò)電流關(guān)斷和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專(zhuān)用的汽車(chē)圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬(wàn)像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn),能夠重用電路板設(shè)計(jì),進(jìn)入市場(chǎng)快,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對(duì)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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