商品名稱:IXYH55N120B4H1
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXYH55N120B4H1 - 1200V、55A XPT? Gen4 IGBT 晶體管,帶聲波二極管,用于 5kHz - 30kHz 開關(guān)的極輕型穿通式 IGBT
產(chǎn)品描述
這些器件采用我們專有的 XPT? 薄晶片技術(shù)和最先進(jìn)的溝槽式 IGBT 工藝開發(fā)而成,具有熱阻小、能量損耗低、開關(guān)速度快、尾電流低和電流密度高等特點(diǎn)。
特性和優(yōu)勢
針對 5-30 kHz 開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
正 VCE(飽和)熱系數(shù)
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
高電流處理能力
高功率密度
低柵極驅(qū)動(dòng)要求
反平行聲波二極管
應(yīng)用
電源逆變器
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
焊接機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計(jì)- 雪崩額定值- 高性能動(dòng)態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動(dòng)態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動(dòng)態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: