商品名稱：IXYP20N65C3D1M
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IXYP20N65C3D1M 是用于 20-60 kHz 開關(guān)的極輕型擊穿式 IGBT 晶體管。
特性
針對 20-60 kHz 開關(guān)進行了優(yōu)化
用于電氣隔離的塑料包覆片
方形 RBSOA
雪崩額定值
反并聯(lián)快速二極管
短路能力
2500V~ 電氣隔離
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
優(yōu)勢
高功率密度
極其堅固
柵極驅(qū)動要求低
應(yīng)用
電源逆變器
不間斷電源
電機驅(qū)動器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
電焊機
燈鎮(zhèn)流器
高頻逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
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MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊 類型： 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù)： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 最低工作溫度：- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量：8 克特點高速開關(guān)，低電容阻斷電壓高，RDS（導(dǎo)…
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