商品名稱：GCMX040A120B3H1P
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
GCMX040A120B3H1P 是一款1200V、太陽能逆變器和電動汽車充電用全橋配置的高效緊湊型MOSFET模塊。SemiQ的高性能1200V SiC模塊經(jīng)過1400V以上的測試，旨在在高頻和高功率環(huán)境中可靠運行。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：4 N 溝道（全橋）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）：1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：53A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 40A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：125nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3200pF @ 800V
功率 - 最大值：208W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
等級：-
資質(zhì)：-
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設(shè)計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設(shè)計和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
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GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
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GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET …電話咨詢：86-755-83294757
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