商品名稱:SiC MOSFET 模塊
品牌:ON
年份:24+
封裝:PIM-18
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NXH008P120M3F1PTG 是一款功率模塊,包含 8 m/ 1200 V SiC MOSFET 半橋和一個熱敏電阻,采用 F1 封裝。
特征:
? 8 m / 1200 V M3S SiC MOSFET 半橋
?熱敏電阻
? 可選擇帶有預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項
? 壓接引腳
? 這些器件不含鉛、無鹵化物,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用:
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源
? 電動汽車充電站
? 工業(yè)動力
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個 SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個 NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機提供全功能、高性能的逆變器輸出級。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動,可最大程度減少 EMI 和損耗,同時還提供多個模塊上保護功能,包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實現(xiàn)多種攝像頭價格和性能點,能夠重用電路板設(shè)計,進入市場快,實現(xiàn)設(shè)計靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…電話咨詢:86-755-83294757
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