商品名稱：AFGHL30T65RQDN
數(shù)據(jù)手冊：
AFGHL30T65RQDN.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
AFGHL30T65RQDN onsemi的新系列FS4 IGBT采用新型場阻IGBT技術(shù)，為汽車應(yīng)用提供最佳性能。這項技術(shù)具有短路額定值，并具有高的品質(zhì)因數(shù)和低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
特征
?最高結(jié)溫：TJ=175°C
?正溫度高效，便于并行操作
?高電流能力
?低飽和電壓：VCE（Sat）=1.57 V（Typ.）@IC=30 A
?100%經(jīng)過ILM測試的部件（注2）
?高輸入阻抗
?快速切換
?強(qiáng)化參數(shù)分布
?該設(shè)備不含鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
典型應(yīng)用
?HEV/EV用E?壓縮機(jī)，HEV/EV的PTC加熱器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCP45770IMN24TWG
NCP45770IMN24TWG負(fù)載管理器件提供了一個精簡組件和面積的解決方案，可通過軟啟動的涌入電流限值實現(xiàn)高效的功率域切換。
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NVH4L032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET 采用全新的技術(shù)，與硅相比，可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。特…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個 SiC MOSFET 模塊，在 F1 模塊中包含一個 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個 NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…
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FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊，為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動，可最大程度減少 EMI 和損耗，同時還提供多個模塊上保護(hù)功能，包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報告。內(nèi)置的高速 HVI…
AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器，能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實現(xiàn)多種攝像頭價格和性能點(diǎn)，能夠重用電路板設(shè)計，進(jìn)入市場快，實現(xiàn)設(shè)計靈活性。傳感器性能由于減…
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NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作，并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作…電話咨詢：86-755-83294757
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