商品名稱:NCV81599MWTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCV81599MWTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:32-VFQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCV81599MWTXG USB Power Delivery (PD) 控制器是一款同步降壓升壓產(chǎn)品,針對(duì)將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為筆記本電腦、平板電腦和臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)以及使用 USB PD 標(biāo)準(zhǔn)和 C 型電纜的許多其他消費(fèi)類設(shè)備所需的電源軌進(jìn)行了優(yōu)化。
產(chǎn)品特性
寬輸入電壓范圍: 4.5 V 至 32 V
動(dòng)態(tài)編程頻率:150 kHz 至 1.2 MHz
I2C 接口
實(shí)時(shí)電源良好指示
受控壓擺率電壓轉(zhuǎn)換
帶內(nèi)部編程基準(zhǔn)的反饋引腳
支持 USBPD/QC2.0/QC3.0 配置文件
2 個(gè)獨(dú)立電流感應(yīng)輸入
過溫保護(hù)
自適應(yīng)無重疊柵極驅(qū)動(dòng)器
可聽范圍開關(guān)頻率規(guī)避
過壓和過流保護(hù)
5 x 5 mm QFN32 封裝
典型應(yīng)用
汽車 USB 充電端口
無線充電
消費(fèi)電子產(chǎn)品
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ拧⒂?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCP45770IMN24TWG
NCP45770IMN24TWG負(fù)載管理器件提供了一個(gè)精簡(jiǎn)組件和面積的解決方案,可通過軟啟動(dòng)的涌入電流限值實(shí)現(xiàn)高效的功率域切換。NVH4L032N065M3S
NVH4L032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET 采用全新的技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。特…NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn),能夠重用電路板設(shè)計(jì),進(jìn)入市場(chǎng)快,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…電話咨詢:86-755-83294757
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