深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝IGD03N120S7描述:硬開關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。IGD03N120…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝
IGD03N120S7描述:
硬開關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。
IGD03N120S7特征:
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 時(shí)的低 VCEsat = 2 V
短路穩(wěn)固性 8 μs
寬范圍 dv/dt 可控性
IGD03N120S7潛在應(yīng)用:
?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器
參數(shù): IGD03N120S7
Eoff : 0.27 mJ
Eon: 0.29 mJ
集成電路(100° 時(shí))最大值: 6 A
集成電路(25° 時(shí))最大值: 10 A
ICpuls 最大值: 9 A
最大功率: 45 W
封裝: PG-TO252-3
QGate: 24 nC
開關(guān)頻率 最小值 最大值: 2 kHz 20 kHz
技術(shù): TRENCHSTOP? IGBT7
VCE(飽和): 2 V
VCE: 最大 1200 V
VGE(th) : 5.7 V
td(關(guān)): 142 ns
td(on) : 18 ns
tf: 272 ns
tr: 18 ns
公司主頁:http://m.winhb.cn/
時(shí)間:2024-12-14
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