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IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝

IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝

來源:本站時(shí)間:2024-12-04瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝IGD03N120S7描述:硬開關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。IGD03N120…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引腳封裝


IGD03N120S7描述:

硬開關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。


IGD03N120S7特征:

VCE = 1200 V

IC = 3 A

Tvj = 150°C 時(shí)的低 VCEsat = 2 V

短路穩(wěn)固性 8 μs

寬范圍 dv/dt 可控性

image.png

IGD03N120S7潛在應(yīng)用:

?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器


參數(shù): IGD03N120S7

Eoff : 0.27 mJ

Eon: 0.29 mJ

集成電路(100° 時(shí))最大值: 6 A

集成電路(25° 時(shí))最大值: 10 A

ICpuls 最大值: 9 A

最大功率: 45 W

封裝: PG-TO252-3

QGate: 24 nC

開關(guān)頻率 最小值 最大值: 2 kHz 20 kHz

技術(shù): TRENCHSTOP? IGBT7

VCE(飽和): 2 V

VCE: 最大 1200 V

VGE(th) : 5.7 V

td(關(guān)): 142 ns

td(on) : 18 ns

tf: 272 ns

tr: 18 ns


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