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供應(yīng)【ON】存儲器IC,供應(yīng)EEPROM存儲器、FLASH存儲器、SRAM存儲器、NVSRAM存儲器

供應(yīng)【ON】存儲器IC,供應(yīng)EEPROM存儲器、FLASH存儲器、SRAM存儲器、NVSRAM存儲器

來源:本站時間:2025-04-17瀏覽數(shù):

供應(yīng)【ON】存儲器IC,供應(yīng)EEPROM存儲器、FLASH存儲器、SRAM存儲器、NVSRAM存儲器深圳市明佳達電子有限公司——作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商,憑借強大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專業(yè)的服務(wù)能力,持續(xù)為市場提供高品質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。其中,ON(安森美)的存儲器IC因其高性能、高可…

供應(yīng)【ON】存儲器IC,供應(yīng)EEPROM存儲器、FLASH存儲器、SRAM存儲器、NVSRAM存儲器


深圳市明佳達電子有限公司——作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商,憑借強大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專業(yè)的服務(wù)能力,持續(xù)為市場提供高品質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。其中,ON(安森美)的存儲器IC因其高性能、高可靠性及廣泛應(yīng)用場景,成為明佳達重點供應(yīng)的產(chǎn)品線之一。


ON(安森美)的存儲器IC覆蓋了多種技術(shù)類型,明佳達電子主要供應(yīng)以下幾大類:

EEPROM存儲器

特點:支持電可擦除編程,非易失性存儲,適用于配置參數(shù)、小容量數(shù)據(jù)存儲等場景。

應(yīng)用:消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等。


FLASH存儲器

特點:大容量、高速讀寫,支持塊擦除操作,適用于固件存儲、代碼執(zhí)行等。

應(yīng)用:物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能家居、通信模塊等。


SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)

特點:高速訪問、無需刷新,但需持續(xù)供電保持數(shù)據(jù),適用于緩存或臨時存儲。

應(yīng)用:醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、高性能計算。


NVSRAM(非易失性SRAM)

特點:結(jié)合SRAM速度和EEPROM非易失性,數(shù)據(jù)斷電不丟失。

應(yīng)用:航空航天、金融終端、關(guān)鍵數(shù)據(jù)備份。


以下是明佳達重點供應(yīng)的ON存儲器IC型號及其關(guān)鍵參數(shù):

1. EEPROM系列存儲器

型號:CAT24C02 / CAT24C04 / CAT24C08

容量:2Kb / 4Kb / 8Kb

接口:I2C

封裝:SOIC-8, TSSOP-8

特點:低功耗,支持1.7V至5.5V寬電壓。


型號:CAT24M01

容量:1Mb

接口:SPI

封裝:SOIC-8

特點:高速讀寫(20MHz),適用于汽車電子。


2. FLASH系列存儲器

型號:LE25U40CMC

容量:4Mb

接口:SPI

封裝:USON-8

特點:支持低功耗模式,兼容工業(yè)溫度范圍(-40°C至85°C)。


型號:LE25S80

容量:8Mb

接口:SPI

封裝:SOIC-16

特點:雙通道讀取,提升數(shù)據(jù)傳輸效率。


3. SRAM系列存儲器

型號:CY62167EV30

容量:16Mb

接口:并行

封裝:TSOP-48

特點:高速訪問時間(45ns),適用于高速緩存。


型號:CY7C1041CV33

容量:4Mb

接口:異步

封裝:SOP-32

特點:低待機電流,延長電池設(shè)備壽命。


4. NVSRAM系列存儲器

型號:CY14B101PA

容量:1Mb

接口:并行

封裝:SOIC-32

特點:自動保存數(shù)據(jù)至EEPROM,抗震動干擾。


型號:CY14E256

容量:256Kb

接口:SPI

封裝:SOIC-8

特點:快速寫入周期(<10ms),適用于實時數(shù)據(jù)記錄。


明佳達電子長期為客戶提供多樣化的存儲器產(chǎn)品。無論是EEPROM、FLASH還是高可靠性NVSRAM,均可通過明佳達快速獲取原廠產(chǎn)品及配套服務(wù)。如需具體型號參數(shù)或樣品申請,請聯(lián)系明佳達電子獲取信息。

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