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供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 單路,650V,450mOhms,PQFN 5x6

供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 單路,650V,450mOhms,PQFN 5x6

來源:本站時間:2023-11-27瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 門驅動器 GaNFast,帶 GaNSense,單路,650V,450mOhms,PQFN 5x6描述氮化鎵功率芯片NV6152是新一代功率芯片產品,內部集成GaNSense無損電流檢測電路,省去了外部電流檢測電阻,消除電流檢測電阻功耗,提高充電器轉…

深圳市明佳達電子有限公司供求氮化鎵功率芯片 NV6152-RA 門驅動器 GaNFast,帶 GaNSense,單路,650V,450mOhms,PQFN 5x6


描述

氮化鎵功率芯片NV6152是新一代功率芯片產品,內部集成GaNSense無損電流檢測電路,省去了外部電流檢測電阻,消除電流檢測電阻功耗,提高充電器轉換效率,并且內置的無損電流檢測,還提供了更快速的過電流保護功能,搭配智能待機模式,進一步提升性能和可靠性,并降低待機功耗。


NV6152內置驅動器、高精度無損耗電流采樣電路以及保護電路,導通電阻為450mΩ,耐壓650V,瞬態(tài)耐壓800V,支持2MHz開關頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積。


產品型號:  NV6152-RA

產品: MOSFET Gate Drivers

類型: Half-Bridge

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PQFN-5x6-8

激勵器數(shù)量: 1 Driver

輸出端數(shù)量: 1 Output

電源電壓-最小: 10 V

電源電壓-最大: 24 V

配置: Inverting

上升時間: 6 ns

下降時間: 3 ns

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: GaNFast with GaNSense Technology

濕度敏感性: Yes

產品類型: Gate Drivers

傳播延遲—最大值: 11 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: PMIC - Power Management ICs

技術: GaN

商標名: GaNFast


長期回收氮化鎵芯片 NV6152-RA 采用 GaNSense? 技術的 GanFast? 電源集成電路,只收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿易商、終端工廠等。


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