最新資訊明佳達(dá)全新原裝ON NTMFS4C028NT1G N溝道 MOSFET 晶體管 - FET，大量庫(kù)存現(xiàn)貨，質(zhì)量保證，歡迎咨詢！
NTMFS4C028 N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 9A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 5.8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線
應(yīng)用
CPU 供電
DC-DC 轉(zhuǎn)換器
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時(shí)間：2024-12-14
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