最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝英飛凌OptiMOS? 5 功率晶體管，80V BSC026N08NS5 N 溝道功率 MOSFET 23A/100A TDSON-8描述：BSC026N08NS5是 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET，設(shè)計(jì)用于電信和服務(wù)器電源中的同步整流。OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET，專為電信和服務(wù)器電
深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝英飛凌OptiMOS? 5 功率晶體管，80V BSC026N08NS5 N 溝道功率 MOSFET 23A/100A TDSON-8
描述：
BSC026N08NS5是 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET，設(shè)計(jì)用于電信和服務(wù)器電源中的同步整流。OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET，專為電信和服務(wù)器電源的同步整流而設(shè)計(jì)。此外，該器件還可用于太陽能、低壓驅(qū)動(dòng)和適配器等其他工業(yè)應(yīng)用。OptiMOS? 5 80 V MOSFET 采用七種不同的封裝，具有業(yè)界最低的 RDS(on)。此外，與上一代產(chǎn)品相比，OptiMOS? 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。
潛在應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
低壓驅(qū)動(dòng)器
適配器
BSC026N08NS5 產(chǎn)品屬性：
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 74 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
配置: Single
下降時(shí)間: 16 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
上升時(shí)間: 14 ns
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 47 ns
典型接通延遲時(shí)間: 18 ns
寬度:5.15 mm
公司網(wǎng)址：http://m.winhb.cn/
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
