最新資訊為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開(kāi)關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。使用高集成度的系…
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開(kāi)關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。使用高集成度的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP代替采用多個(gè)分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時(shí)加快設(shè)計(jì)速度，節(jié)省PCB電路板空間。
新的電源參考設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用是空間有限、能效至關(guān)重要的工業(yè)級(jí)電源。該電源整合了MasterGaN1L(內(nèi)置兩個(gè)650V 150m? GaN FET晶體管)與意法半導(dǎo)體的L6599A諧振控制器，峰值能效高于94%，原邊無(wú)需安裝散熱器。該電源還集成了意法半導(dǎo)體的SRK2001A同步整流控制器，整體面積緊湊，為 80mm x 50mm，功率密度高達(dá)每立方英寸34瓦(W/inch3)。
該電源的最大輸出電流為10A，在24V直流電壓時(shí)，輸出功率為250W，待機(jī)電流低于1μA，卓越的節(jié)能效果。L6599A和SRK2001A內(nèi)置的保護(hù)功能可以防護(hù)過(guò)流、短路和過(guò)壓的沖擊，而輸入電壓監(jiān)測(cè)可確保電源正常啟動(dòng)并提供欠壓鎖定。
EVL250WMG1L現(xiàn)已上市，集成了全部功能，可立即測(cè)評(píng)電源功能。
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