車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS?- 6 功率晶體管_汽車(chē)應(yīng)用
明佳達(dá)電子全新原裝英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS?- 6 功率晶體管,40V,N-Ch,最大 1.5 mΩ,SS08 (5x6)產(chǎn)品概述:IAUC100N04S6N015是一款40V,N溝道,最大導(dǎo)通電阻(RDS(on))為1.5 mΩ的汽車(chē)級(jí)MOSFET,采用SS08(5x6mm)封裝。特征:OptiMOS?技術(shù)專(zhuān)為…
明佳達(dá)電子全新原裝英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS?- 6 功率晶體管,40V,N-Ch,最大 1.5 mΩ,SS08 (5x6)
產(chǎn)品概述:
IAUC100N04S6N015是一款40V,N溝道,最大導(dǎo)通電阻(RDS(on))為1.5 mΩ的汽車(chē)級(jí)MOSFET,采用SS08(5x6mm2)封裝。
特征:
OptiMOS?技術(shù)專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
N溝道增強(qiáng)型模式。
符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
最高工作溫度達(dá)到175°C。
綠色環(huán)保產(chǎn)品(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))。
100%雪崩測(cè)試。
電氣特性:
連續(xù)漏極電流(I_D):100A。
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):在V_GS=10V,Id=50A時(shí)最大值為1.55mΩ。
閾值電壓(Vgs(th)@Id):在Id=150uA時(shí)為3V。
產(chǎn)品屬性:
FET 類(lèi)型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.55 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 55 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 3470 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 100W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí): 汽車(chē)級(jí)
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類(lèi)型: 表面貼裝型
如有興趣,歡迎致電聯(lián)系陳先生:
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時(shí)間:2024-12-14
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