最新資訊功率MOSFET是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1 kV（SiC：2 kV），具有高開關(guān)速度和最佳效率。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電子、電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、射頻應(yīng)用、交通出行技術(shù)和汽車電子等廣泛應(yīng)用中占據(jù)核心地位。深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家實(shí)力雄…
功率MOSFET是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1 kV（SiC：2 kV），具有高開關(guān)速度和最佳效率。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電子、電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、射頻應(yīng)用、交通出行技術(shù)和汽車電子等廣泛應(yīng)用中占據(jù)核心地位。
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公司回收英飛凌功率器件：
汽車MOSFET：適用于汽車應(yīng)用的 N 溝道、P 溝道和雙通道 MOSFET 種類繁多的功率 MOSFET 均已通過(guò) AEC-Q101 以上的認(rèn)證。
N-通道功率MOSFET：適用于低、中、高功率應(yīng)用的中低壓 OptiMOS? 和 StrongIRFET? 功率 MOSFET 以及適合多種應(yīng)用的 CoolMOS? 高壓功率 MOSFET。
P-通道功率MOSFET：采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。
互補(bǔ)式功率MOSFET：以高、低邊配置將 N 溝道與 P 溝道 MOSFET 集成至單個(gè)封裝中。
SIC碳化硅MOSFET：CoolSiC? MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋400 V至2000 V的電壓范圍，適用于光伏逆變器、電池充電、儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源（UPS）、輔助電源和開關(guān)電源（SMPS）等應(yīng)用。
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