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瑞薩推出全新入門級(jí)RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)產(chǎn)品群

瑞薩推出全新入門級(jí)RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)產(chǎn)品群

來源:本站時(shí)間:2024-12-11瀏覽數(shù):

新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同時(shí),通過精簡功能集降低成本,成為工業(yè)和家居自動(dòng)化、辦公設(shè)備、醫(yī)療保健和消費(fèi)品等大批量應(yīng)用的理想之選。

瑞薩電子(TSE:6723)近期宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)產(chǎn)品群,進(jìn)一步擴(kuò)展其業(yè)界卓越和廣受歡迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm Cortex-M85處理器的MCU,實(shí)現(xiàn)市場領(lǐng)先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同時(shí),通過精簡功能集降低成本,成為工業(yè)和家居自動(dòng)化、辦公設(shè)備、醫(yī)療保健和消費(fèi)品等大批量應(yīng)用的理想之選。


RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium?技術(shù),即Arm的M-Profile矢量擴(kuò)展,與基于Arm Cortex-M7處理器的MCU相比,在數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用層面實(shí)現(xiàn)高達(dá)4倍的性能提升,使得快速增長的AIoT領(lǐng)域應(yīng)用成為可能——在這一領(lǐng)域,高性能對(duì)于AI模型的執(zhí)行至關(guān)重要。


RA8系列產(chǎn)品集成低功耗特性和多種低功耗模式,在提供業(yè)界卓越性能的同時(shí),可進(jìn)一步提高能效。低功耗模式、獨(dú)立電源域、更低的電壓范圍、快速喚醒時(shí)間,以及較低的典型工作和待機(jī)電流組合,使得系統(tǒng)整體功耗更低。幫助客戶降低整體系統(tǒng)功耗并滿足相關(guān)法規(guī)要求。新款A(yù)rm Cortex-M85內(nèi)核還能以更低的功耗執(zhí)行各種DSP/ML任務(wù)。


RA8系列MCU由瑞薩靈活配置軟件包(FSP)提供支持。FSP帶來所需的所有基礎(chǔ)架構(gòu)軟件,包括多個(gè)RTOS、BSP、外設(shè)驅(qū)動(dòng)程序、中間件、連接、網(wǎng)絡(luò)和TrustZone支持,以及用于構(gòu)建復(fù)雜AI、電機(jī)控制和云解決方案的參考軟件,從而加快應(yīng)用開發(fā)速度。它允許客戶將自己的既有代碼和所選的RTOS與FSP集成,為應(yīng)用開發(fā)打造充分的靈活性。借助FSP,可輕松將現(xiàn)有設(shè)計(jì)遷移至新的RA8系列產(chǎn)品。


Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示:“我們的客戶對(duì)RA8 MCU的卓越性能贊不絕口,現(xiàn)在他們期望獲得性能更高且功能更優(yōu)化的版本,以滿足其成本敏感的工業(yè)、視覺AI和中端圖形應(yīng)用需求。RA8E1和RA8E2為這些市場打造了性能和功能的完美平衡,并且借助FSP實(shí)現(xiàn)了在RA8系列內(nèi)部或從RA6 MCU的輕松遷移?!?/span>

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RA8E1 MCU的關(guān)鍵特性:

內(nèi)核:360MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技術(shù)

存儲(chǔ):集成1MB閃存、544KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM、帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的512KB用戶SRAM)、1KB待機(jī)SRAM、32KB I/D緩存

外設(shè):以太網(wǎng)、XSPI(八線SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、溫度傳感器、8位CEU、GPT、LP-GPT、WDT、RTC

封裝:100/144引腳LQFP


RA8E2 MCU的關(guān)鍵特性:

內(nèi)核:480MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技術(shù)

存儲(chǔ):集成1MB閃存、672KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM、帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的512KB用戶SRAM+額外128KB用戶SRAM)、1KB待機(jī)SRAM、32KB I/D緩存

外設(shè):16位外部存儲(chǔ)器接口、XSPI(八線SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、溫度傳感器、GLCDC、2DRW、GPT、LP-GPT、WDT、RTC

封裝:224引腳BGA


成功產(chǎn)品組合

瑞薩將全新RA8E1和RA8E2產(chǎn)品群MCU與其產(chǎn)品組合中的眾多兼容器件相結(jié)合,創(chuàng)建了廣泛的“成功產(chǎn)品組合”,包括入門級(jí)語音和視覺人工智能系統(tǒng)以及家用電器人機(jī)界面 (HMI)。這些“成功產(chǎn)品組合”基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品,具備經(jīng)技術(shù)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu),帶來優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì),以加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產(chǎn)品陣容中的各類產(chǎn)品,推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”,使客戶能夠加速設(shè)計(jì)過程,更快地將產(chǎn)品推向市場。更多信息,請(qǐng)?jiān)L問:renesas.com/win。


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