商品名稱:TPD2S701QDGSRQ1
數(shù)據(jù)手冊(cè):TPD2S701QDGSRQ1.pdf
品牌:TI
年份:23+
封裝:VSSOP-10
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
TPD2S701-Q1是一款雙通道數(shù)據(jù)線短vbus和IEC61000-4-2 ESD保護(hù)設(shè)備,用于汽車高速接口,如USB 2.0。TPD2S701-Q1包含兩個(gè)數(shù)據(jù)線net開關(guān),通過為最小的信號(hào)退化提供最佳帶寬來確保安全的數(shù)據(jù)通信,同時(shí)保護(hù)內(nèi)部系統(tǒng)電路免受VD+和VD -引腳的任何過電壓條件的影響。
一般規(guī)格
電壓 - 箝位:-
技術(shù):混合技術(shù)
電路數(shù):1
應(yīng)用:汽車級(jí)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:10-VSSOP
基本產(chǎn)品編號(hào):TPD2S701
應(yīng)用
終端設(shè)備
-總單元
-后座娛樂
——遠(yuǎn)程信息處理
- USB hub
-導(dǎo)航模塊
—媒體接口
?接口
- usb 2.0
- usb 3.0
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
德州儀器(Texas Instruments),簡(jiǎn)稱TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實(shí)世界的信號(hào)處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號(hào)處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國(guó)德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個(gè)國(guó)家設(shè)有制造…
DP83TC811SWRNDRQ1
DP83TC811SWRNDRQ1低功耗汽車PHYTER 100BASE-T1以太網(wǎng)物理層收發(fā)器通過屏蔽單雙絞線提供傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的物理層功能。該器件通過支持標(biāo)準(zhǔn)MII、RMII、RGMII和SGMII MAC接口實(shí)現(xiàn)xMII靈活性。配套診斷工具套件通過各種實(shí)時(shí)監(jiān)控工具集成調(diào)試工具和測(cè)試模式。該套件包含一…OPT8241NBNL
描述:OPT8241NBNL飛行時(shí)間 (ToF) 傳感器是TI 3D ToF圖像傳感器系列的一部分。該器件將ToF感測(cè)與優(yōu)化設(shè)計(jì)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和多功能、可編程時(shí)序發(fā)生器 (TG) 結(jié)合在一起。OPT8241提供四分之一視頻圖形陣列 (QVGA 320 x 240) 分辨率數(shù)據(jù),幀速率高達(dá)150/秒(600個(gè)讀數(shù)/秒…LMG3526R030RQSR
LMG3526R030RQSR 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。特性:具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V GaN-on-Si FET集成高精度柵極偏置電壓200V/ns FET 釋抑23.6MHz 開關(guān)頻率…LMG3427R030RQZR
LMG3427R030RQZR 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET。應(yīng)用:? 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器? 商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器 PSU? 商用電信整流器? 太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器? 不間斷電源LMG3427R030RQZR的規(guī)格:開關(guān)類型:通用輸出數(shù):1比率 - 輸LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成,由一個(gè)采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。特性:集成半橋 GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器93V 連續(xù),100V 脈沖額定電壓封裝經(jīng)過優(yōu)化,…LMG3100R044VBER
LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù)、120V 脈沖、126A 氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含一個(gè)由高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個(gè)高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路,因此兩個(gè) LMG3100 器件可用于形成半橋,而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。特性…電話咨詢:86-755-83294757
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