商品名稱:NCP1200P100G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP1200P100G.PDF
品牌:ON
年份:1628+
封裝:DIP8
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:13650 件
NCP1200 位于 SO-8 或 DIP-8 封裝內(nèi),是實(shí)現(xiàn)超緊湊型開關(guān)模式電源的重要飛躍。由于一種新型概念,該電路使用極少外部部件即可實(shí)施完整的離線電池充電器或待機(jī) SMPS。另外,集成的輸出短路保護(hù)讓設(shè)計(jì)者能夠構(gòu)建與簡(jiǎn)單反饋方案相關(guān)聯(lián)的極低成本 AC/DC 墻壁安裝適配器。通過以固定的 40 kHz、60 kHz 或 100 kHz 頻率運(yùn)行的內(nèi)部結(jié)構(gòu),該控制器可驅(qū)動(dòng) IGBT 或 MOSFET 等低門極電荷開關(guān)器件,因此需要非常小的運(yùn)行功耗。由于電流模式控制,NCP1200 大幅簡(jiǎn)化了可靠低廉的離線轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),且具有卓越的音頻敏感性和內(nèi)在的按脈沖控制。例如,在輸出功率需求消失,電流設(shè)定點(diǎn)降至某個(gè)特定值以下時(shí),該集成電路將進(jìn)入所謂的跳過周期模式,在輕負(fù)載下提供卓越能效。因?yàn)檫@發(fā)生在低峰值電流時(shí),所以不會(huì)發(fā)出噪音。最后,該集成電路為直流軌自供電,無需輔助繞組。此功能確保存在低輸出電壓或短路時(shí)的運(yùn)行。
特性
無輔助繞組操作
內(nèi)部輸出短路保護(hù)
極低的空載待機(jī)功率
具有跳過周期能力的電流模式
內(nèi)部前緣消隱
250毫安峰值電流源/灌注能力
內(nèi)部固定頻率為40 kHz、60 kHz和100 kHz
直接光耦合器連接
內(nèi)置頻率抖動(dòng)以降低EMI
可用于瞬態(tài)和交流分析的SPICE模型
內(nèi)部溫度關(guān)斷
可提供無鉛封裝
應(yīng)用
交流/直流適配器
離線電池充電器
輔助/附屬電源(USB、家電、電視等)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn),能夠重用電路板設(shè)計(jì),進(jìn)入市場(chǎng)快,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…電話咨詢:86-755-83294757
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