商品名稱：NTMFD4C85NT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NTMFD4C85NT1G.pdf
品牌：ON
年份：1735+
封裝：QFN
貨期：原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量：39500 件
描述
MOSFET 陣列 30V 15.4A，29.7A 1.13W表面安裝8-DFN（5x6）
特征
? 共同封裝的功率級解決方案，可最大程度地減少電路板空間
? 寄生電感最小
? 優(yōu)化的設(shè)備以減少功率損耗
? 這些設(shè)備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑，并且符合RoHS要求合規(guī)
應(yīng)用領(lǐng)域
? DC-DC轉(zhuǎn)換器
? 系統(tǒng)電壓軌
? 負(fù)載點(diǎn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊，在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…
FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊，為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動(dòng)，可最大程度減少 EMI 和損耗，同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能，包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速 HVI…
AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器，能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn)，能夠重用電路板設(shè)計(jì)，進(jìn)入市場快，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…
NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作，并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…
NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率…
NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件，針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作，并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。產(chǎn)品屬性：晶體管極…電話咨詢：86-755-83294757
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