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NTMFS4C09N 功率 MOSFET 30 V、52 A、單 N-溝道、SO-8 FL

參數(shù)

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 30 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 9A（Ta）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 5.8 毫歐 @ 30A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線 

應(yīng)用

? CPU 供電

? DC-DC 轉(zhuǎn)換器

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