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商品名稱(chēng):TLE84106EL
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLE84106EL.pdf
品牌:INFINEON
年份:13+
封裝:SSOP
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
TLE84106EL是一款受保護(hù)的六角半橋驅(qū)動(dòng)器,特別為汽車(chē)運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用而設(shè)計(jì),如加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)翻轉(zhuǎn)直流電機(jī)控制。它是英飛凌智能電源技術(shù)SPT?中MonolythIC系列的一部分,該技術(shù)將雙極和CMOS控制電路與DMOS功率器件相結(jié)合。
這6個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器被設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)負(fù)載的順序或平行操作。操作模式正向(cw)、反向(ccw)、制動(dòng)和高阻抗由一個(gè)16位SPI接口控制。短路、開(kāi)路、電源故障和超溫等診斷功能,結(jié)合其低靜態(tài)電流,使該器件對(duì)汽車(chē)應(yīng)用具有吸引力。極小的細(xì)間距裸露焊盤(pán)PG-SSOP-24-4封裝在SO -14體中,提供了良好的熱性能,減少了PCB板的空間和成本。
特征
? 6個(gè)半橋電源輸出
? 3.3V/5V兼容輸入,具有滯后
? 獨(dú)立可診斷輸出
? 16位標(biāo)準(zhǔn)SPI接口,具有菊花鏈功能,用于控制和診斷
? 所有輸出的開(kāi)啟狀態(tài)下的負(fù)載診斷
? 具有過(guò)載和短路保護(hù)和診斷的所有輸出
? 過(guò)熱預(yù)警和保護(hù)
? 過(guò)電壓和欠電壓鎖定
? 交叉電流保護(hù)
? 熱增強(qiáng)外露襯墊組件
? 綠色產(chǎn)品(符合RoHS)
? AEC合格
? 所有類(lèi)型的電容、電阻和電感負(fù)載
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號(hào):SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類(lèi)型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺(tái)具有同類(lèi)中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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