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封裝

數(shù)量

描述

NVMFWS1D5N08XT1G

ON

DFNW-5

3000

80V，253 A，1.5 mΩ 單N溝道功率 MOSFET

IPT026N12NM6

INFINEON

PG-HSOF-8

1680

OptiMOS? 6 功率 MOSFET 正常電平 120 V，采用 TOLL 封裝

IQD020N10NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

IQD020N10NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

IQD016N08NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。

IQD009N06NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

IQDH88N06LM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)

IQD009N06NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

IQDH88N06LM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)

IQD005N04NM6CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1000

OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝