NVMJD010N10MCL(低/中壓 MOSFET 晶體管):100V,10mΩ,62A,2N-通道, 汽車功率 MOSFET 晶體管
型號:NVMJD010N10MCL
封裝:LFPAK-8
類型:MOSFET 晶體管
概述:
NVMJD010N10MCL - 汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。
NVMJD010N10MCL - 產(chǎn)品規(guī)格:
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 個 N 溝道
漏源電壓(Vdss):100V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11.8A(Ta),62A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):10 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 97μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):26.4nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1795pF @ 50V
功率 - 最大值:3.1W(Ta),84W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個 SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個 NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機提供全功能、高性能的逆變器輸出級。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動,可最大程度減少 EMI 和損耗,同時還提供多個模塊上保護功能,包括欠電壓鎖閉、過電流關(guān)斷和故障報告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實現(xiàn)多種攝像頭價格和性能點,能夠重用電路板設(shè)計,進入市場快,實現(xiàn)設(shè)計靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: