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商品名稱(chēng):碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管
品牌:ON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NVHL025N065SC1:650V,25mohm,N 溝道 - EliteSiC,碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管
型號(hào):NVHL025N065SC1
封裝:TO-247-3
類(lèi)型:碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管
概述:
NVHL025N065SC1 - EliteSiC MOSFET 采用全新技術(shù),與硅相比,開(kāi)關(guān)性能更優(yōu)越,可靠性更高。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更小的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。
NVHL025N065SC1 - 產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):99A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):28.5 毫歐 @ 45A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.3V @ 15.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):164 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3480 pF @ 325 V
功率耗散(最大值):348W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
封裝/外殼:TO-247-3
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是一個(gè) SiC MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 mohm 1200V SiC MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋熱敏電阻帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)壓配引腳NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用太陽(yáng)能…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過(guò)電流關(guān)斷和故障報(bào)告。內(nèi)置的高速 HVI…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專(zhuān)用的汽車(chē)圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬(wàn)像素高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn),能夠重用電路板設(shè)計(jì),進(jìn)入市場(chǎng)快,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對(duì)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對(duì)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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