商品名稱:汽車認證IGBT
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
AIKYX200N75CP2采用750V EDT2技術,非常適合汽車應用。與3引腳器件相比,它支持高達470V的電池電壓、安全快速開關和30%的開啟能量損耗。其合格的可回流焊封裝支持創(chuàng)新的組裝解決方案,可在系統(tǒng)級實現(xiàn)高達40%的更佳導熱性和最高功率輸出。
特征:
VCE = 750V
IC = 200 A
同類最佳的750 V至247 PLUS——每個器件最高的功率輸出
適用于470 V直流系統(tǒng),增加了400 V直流系統(tǒng)的過壓裕量
極低的VCEsat (C-KE) = 1.25 V(典型值。)在ICnom = 200 A,25°C時
短路魯棒性tsc = 3 s,VCE = 470 V,VGE = 15 V
由于回流能力和更高的功率輸出,系統(tǒng)Rth降低高達40%
由于開爾文發(fā)射極,與3引腳器件相比,開啟能量損失減少30%
短路條件下的自限流
正導熱系數(shù)和非常緊密的參數(shù)分布,便于并行
由于Inom = 200 A,需要的并聯(lián)器件數(shù)量減少
并聯(lián)運行時出色的均流性能
低柵極電荷QG
平滑切換特性
簡單的柵極驅動器設計
與快速軟恢復發(fā)射極控制二極管(Emcon3)封裝在一起
低EMI特征
TO247PLUS封裝,爬電距離高6.6 mm
高可靠性和工作壽命,久經(jīng)考驗的電源循環(huán)秒。穩(wěn)健性
用于大電流母線的寬電源引腳(2毫米)
用于直接母線連接的電阻焊接引腳
無鉛電鍍引腳和背面
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術,封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號:SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢:86-755-83294757
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