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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:GS-065-011-6-L-MR

商品名稱:GaN 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PDFN 5x6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1250

數(shù)量:
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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
GS-065-011-6-L-MR
封裝
PDFN 5x6
描述
GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)

產(chǎn)品描述

GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領先的創(chuàng)新技術,如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性結合在一起,可提供極高效率的功率開關。


應用

電源適配器

LED照明驅(qū)動器

電池充電快

功率因數(shù)校正

工業(yè)電源

光伏

電信基礎設施用交流-直流電源轉(zhuǎn)換

數(shù)據(jù)中心和計算解決方案

電器和工業(yè)電機驅(qū)動器

無線功率傳輸


GS-065-011-6-L-MR產(chǎn)品屬性:

FET 類型: N 通道  

技術:GaNFET(氮化鎵)  

漏源電壓(Vdss): 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12.2A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V  

Vgs(最大值): +7V,-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應商器件封裝: 8-PDFN(5x6)  

封裝/外殼: 8-PowerVDFN 

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GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)

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1250

GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)

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PDFN 5x6

3000

GaN 場效應晶體管 650V,11A,GaN E-模式,5x6 PDFN,底部冷卻

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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