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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:MD22HTC120P6HET

商品名稱:SiC模塊

品牌:Starpower

年份:24+

封裝:P6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
Starpower
型號
MD22HTC120P6HET
封裝
P6
描述
1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

產(chǎn)品描述

STARPOWER SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(導通)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應用而設計。


特點

? SiC 功率 MOSFET

? 具有低 RDS(導通)的高阻塞電壓

? 易于并聯(lián),驅動簡單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術的隔離式銅針腳基板


MD22HTC120P6HET

封裝:P6

額定電流:-

芯片類型:SIC

額定電壓:1200V

電路結構:Sixpack/六單元

特征:PINFIN基板


應用

? 汽車應用

? 混合動力和電動汽車

? 電機驅動用逆變器


等效電路原理圖

image.png

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

NXH020P120MNF1PG

ON

模塊

1000

1200V 20 歐姆碳化硅模塊

NVXK2VR80WXT2

ON

APM-32

1000

1200V 三相橋式碳化硅(SiC)模塊

NVXK2VR40WXT2

ON

APM-32

3000

碳化硅 (SiC) 模塊 - 1200V 三相橋式電源模塊

MD29HFC120N6HT

Starpower

N6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HET

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HEL

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HEF

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HE

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD22HTC120P6HEL

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

MD22HTC120P6HEF

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質證明嗎?

    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

Starpower

Starpower

斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內(nèi)功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…

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