BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。
特性：
Nano CAP?集成輸出可選5V LDO
為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品
寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓
IN引腳電壓的寬工作范圍
低VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高dv/dt抗噪性
可調(diào)柵極驅(qū)動器強度
電源良好信號輸出
VDD UVLO保護
熱關(guān)斷保護
應用：
工業(yè)設備
電源與大功率密度
高效需求
橋拓撲結(jié)構(gòu)如圖騰柱PFC
LLC電源
適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關(guān)損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關(guān)損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合…
RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關(guān)損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關(guān)損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小…
SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝，設計符合AEC-Q101標準。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流…電話咨詢：86-755-83294757
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